时间：2025/5/13 13:36:40
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SI2303CDS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用微型 TSOT23-6 封装，适合在需要高效开关和低功耗的应用中使用。其优异的 Rds(on) 特性和较低的栅极电荷使其成为便携式设备、电源管理电路以及负载开关等应用的理想选择。
SI2303CDS 的设计重点在于提供低导通电阻和高能效，同时保持紧凑的封装尺寸以适应空间受限的设计。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总栅极电荷：4.9nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSOT23-6
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输和最小化的功耗。
2. 高能效设计使得该器件非常适合电池供电的便携式设备。
3. 小型 TSOT23-6 封装节省了 PCB 空间，简化了布局设计。
4. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷，减少了开关损耗。
5. 工作温度范围宽广，适用于多种环境条件下的应用。
6. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
1. 移动设备中的负载开关应用。
2. 便携式电子产品的电源管理。
3. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
4. DC/DC 转换器中的高效开关元件。
5. 电池供电设备中的电源切换。
6. 电机驱动和保护电路中的开关元件。
SI2302DS, SI2304DS, BSS138
