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SI2302CDS 发布时间 时间:2025/12/24 5:47:36 查看 阅读:26

SI2302CDS是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用DFN1010-6封装,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。其典型应用包括负载开关、DC/DC转换器、同步整流器以及电池供电设备中的电源管理等。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:7nC
  总电容:110pF
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

SI2302CDS具有非常低的导通电阻,可以显著降低功率损耗,提高系统效率。
  其小型DFN1010-6封装使其非常适合空间受限的设计。
  该器件还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗。
  此外,它具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。

应用

该器件广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
  常见的应用场景包括:
  1. 移动设备中的负载开关。
  2. DC/DC转换器中的同步整流开关。
  3. 电池保护电路。
  4. 各种便携式电子产品中的电源管理模块。

替代型号

SI2301DS, BSS138, AO3400

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