时间：2025/6/19 13:04:31
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SI2302CDS 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型化的 SOT-23 封装形式，适合于要求高效率和节省空间的应用场景。该器件以其低导通电阻（Rds(on)）特性著称，在高频开关应用中表现出色。
它广泛应用于消费电子、通信设备以及便携式产品领域，能够提供高效能的电源管理解决方案。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ
总功耗：420mW
工作结温范围：-55℃ to 150℃
封装形式：SOT-23
SI2302CDS 提供了较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
其小型化 SOT-23 封装使其非常适合于空间受限的设计环境。
此外，该器件具备快速开关速度，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关等。
由于其出色的热稳定性，可以在较宽的工作温度范围内可靠运行，从而满足多种工业和消费类应用需求。
该器件主要应用于便携式电子产品中的电源管理模块，例如手机和平板电脑的充电电路。
同时，它也适用于笔记本电脑适配器、固态硬盘 (SSD) 电源管理以及其他需要高效能功率转换的场景。
在汽车电子领域，SI2302CDS 可用于电池管理系统以及车载信息娱乐系统的相关电路设计。
此外，还可以作为同步整流器或负载开关使用，以优化整体电路性能。
SI2301DS, SI2303DS, BSS138
