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SI2302A 发布时间 时间:2025/6/14 17:36:42 查看 阅读:4

SI2302A是Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于各种高效能电源管理应用。SI2302A的工作电压范围为20V,适合低至中等电压的应用场景。它常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率管理电路。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:1.9nC(典型值)
  总开关时间:7ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

SI2302A具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提升效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,满足现代电源系统对小型化和高效率的需求。
  3. 低栅极电荷和输出电容,减少了驱动功耗,提高了整体性能。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下也能可靠运行。
  5. 小型封装(如SOT-23),节省PCB空间,非常适合便携式设备。

应用

SI2302A广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
  2. DC-DC转换器及降压稳压器。
  3. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  4. 电机驱动和控制电路。
  5. 工业自动化设备中的信号切换与隔离。
  6. 其他需要高效能功率开关的应用场景。

替代型号

SI2303DS, SI2301ADMA

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SI2302A参数

  • 现有数量2,647现货
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)3,000 : ¥0.68904卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)300 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3