SI2302A是Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于各种高效能电源管理应用。SI2302A的工作电压范围为20V,适合低至中等电压的应用场景。它常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率管理电路。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:1.9nC(典型值)
总开关时间:7ns(典型值)
工作结温范围:-55℃至+150℃
SI2302A具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提升效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,满足现代电源系统对小型化和高效率的需求。
3. 低栅极电荷和输出电容,减少了驱动功耗,提高了整体性能。
4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下也能可靠运行。
5. 小型封装(如SOT-23),节省PCB空间,非常适合便携式设备。
SI2302A广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
2. DC-DC转换器及降压稳压器。
3. 消费类电子产品中的电源管理模块。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 工业自动化设备中的信号切换与隔离。
6. 其他需要高效能功率开关的应用场景。
SI2303DS, SI2301ADMA