时间：2025/5/9 15:56:28
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SI2301DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，基于 Siliconix 系列。该器件采用了小型化的 TO-252 (DPAK) 封装，适合需要高效率和低导通电阻的应用场景。它具有出色的开关特性和低功耗特点，广泛用于电源管理、电机驱动以及负载切换等应用领域。
其核心技术是通过优化的沟槽式结构实现了较低的导通电阻和栅极电荷，从而提升整体系统效率并降低热损耗。此外，该器件还具备良好的雪崩耐量能力，确保在极端条件下也能稳定工作。
型号：SI2301DS-T1-GE3
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏极电流）：67A
Qg（总栅极电荷）：9nC
Bvdss（击穿电压）：30V
EAS（雪崩能量）：86mJ
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高能效。
2. 较小的栅极电荷 (Qg)，实现快速开关，降低开关损耗。
3. 高雪崩耐量能力，能够承受瞬态过压条件下的冲击。
4. 支持高达 175°C 的结温操作，适用于高温环境。
5. 符合 RoHS 标准，采用无铅封装设计。
6. 良好的热性能表现，便于散热管理。
7. 可靠性高，经过严格的质量测试流程。
这些特性使得 SI2301DS-T1-GE3 成为许多高性能功率转换电路的理想选择，尤其是在追求紧凑设计与高效运行的情况下。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 汽车电子设备中的电源分配。
6. 工业自动化控制中的继电器替代方案。
由于其卓越的电气性能和坚固耐用的设计，SI2301DS-T1-GE3 在消费类电子产品、通信基础设施以及汽车领域都有广泛应用。
SI2302DS-T1-GE3, IRFZ44N, FDP5570N
