时间：2025/5/9 12:34:14
阅读：9
SI2301DS 是一款来自 Vishay 的 N 沣道开关 MOSFET，采用小型化的 SOT-23 封装形式。该器件适用于低功率应用场合，具有较低的导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的负载开关、电源管理电路等。
该型号特别适合需要节省空间的设计，同时其优异的电气性能能够有效降低功耗并提高效率。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总电荷量：6nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
SI2301DS 具有以下特点：
1. 极低的导通电阻可以减少导通损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关特性使其非常适合高频应用。
3. 高度集成的小型封装有助于减少 PCB 占用面积。
4. 良好的热稳定性确保了在高温环境下也能可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
这款 MOSFET 可以用于多种场景，包括但不限于以下方面：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. USB 端口保护及充电管理电路。
3. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
4. 各类电池供电设备的电源管理。
5. 电机驱动与 LED 驱动电路。
6. 信号切换和逻辑电平转换。
SI2302DS, BSS138, FDN340P
