时间：2025/5/9 11:52:52
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SI2301是一款由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用小型化的SOT-23封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用。该器件的额定电流为2.3A，能够支持高效的功率转换和负载切换。由于其紧凑的设计和高性能参数，SI2301在消费电子、通信设备以及工业控制领域得到了广泛应用。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.3A
导通电阻（典型值）：75mΩ
总功耗：410mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
SI2301具有低导通电阻和低电容设计，确保了高效能和快速开关性能。
其小尺寸SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用场景。
该器件具备出色的热稳定性和可靠性，能够在广泛的温度范围内正常运行。
同时，SI2301还提供了良好的电气保护特性，如过流保护和短路耐受能力。
SI2301广泛应用于便携式设备的电源管理电路中，例如手机、平板电脑和可穿戴设备。
此外，它也常用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及背光驱动等场合。
在通信设备中，SI2301可用于信号调节和电源分配。
工业控制领域中，该器件也可作为小型继电器或接触器的替代品。
SI2306DS, SI2302DS
