SI2213是一款由Silicon Labs(芯科科技)推出的高性能、低功耗的双通道隔离式栅极驱动器芯片。该芯片专为驱动MOSFET和IGBT等功率开关器件而设计,适用于工业自动化、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高可靠性应用。SI2213采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,提供了优异的电气隔离性能和抗噪能力,确保在高电压和恶劣环境中仍能稳定工作。
电源电压:4.5V ~ 28V
输出电流:每通道峰值电流可达4.0A
隔离耐压:高达5kVRMS
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
传播延迟:典型值为60ns
输入逻辑类型:兼容3.3V和5V逻辑电平
封装类型:16引脚SOIC宽体封装
SI2213的核心特性在于其高效的双通道隔离驱动能力。该芯片集成了两个独立的高速栅极驱动器,每个通道都具备高输出驱动能力和低传播延迟,可确保功率器件的快速开关操作,从而减少开关损耗并提高系统效率。芯片的输入和输出之间采用了Silicon Labs先进的数字隔离技术,提供高达5kVRMS的电气隔离,极大提升了系统在高压环境下的安全性和稳定性。
SI2213的工作温度范围广泛,支持-40°C至+125°C的工业级温度范围,适合在各种严苛环境中使用。其宽电源电压范围(4.5V至28V)允许其灵活应用于多种电源配置中,同时兼容3.3V和5V逻辑输入,使得与微控制器或其他控制电路的接口设计更加简便。
该芯片还内置了多项保护功能,如欠压锁定(UVLO),以防止在电源电压不足时误操作,确保系统的稳定性和可靠性。此外,SI2213采用16引脚SOIC宽体封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于PCB布局和散热设计。
SI2213主要用于需要电气隔离和高效驱动能力的功率电子系统中。其典型应用包括工业电机驱动器、伺服控制器、逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及智能电网设备等。在这些应用中,SI2213能够有效地驱动MOSFET和IGBT等功率器件,实现快速、精确的开关控制,同时通过其高隔离性能保障系统的安全运行。
在电机控制应用中,SI2213可为三相逆变器提供可靠的栅极驱动解决方案,支持高效率的PWM控制。在新能源领域,如光伏逆变器中,该芯片可确保在高压直流输入条件下安全驱动功率开关,提升整体系统效率和可靠性。此外,SI2213还可用于工业自动化系统中的高边/低边驱动配置,满足复杂控制需求。
ADuM4223, UCC21520, ISO550, 6EDL04I06NT