时间：2025/7/12 8:48:01
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SI1869DH-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和高开关速度，适用于需要高效功率转换的应用场景。
该型号为表面贴装封装（TO-252/DPak），适合自动化装配流程，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：27A
导通电阻：2.2mΩ
总栅极电荷：49nC
输入电容：1390pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI1869DH-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可降低传导损耗，提高效率。
2. 高开关速度，得益于较低的总栅极电荷。
3. 小型化 DPAK 表面贴装封装，便于集成到紧凑型设计中。
4. 支持高温操作，最高结温可达 175°C，增强了在严苛环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子制造要求。
这款 MOSFET 广泛应用于各种功率转换和电机驱动领域，包括但不限于：
1. DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 开关电源 (SMPS) 的主开关或辅助开关。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
4. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机控制。
5. 逆变器与太阳能微逆变器中的功率级管理。
SI1876DH-T1-GE3, SI1877DH-T1-GE3, Si4476DY-T1-GE3
