时间：2025/6/28 11:02:53
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SI1563EDH是由Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了TrenchFET Gen III技术，具有低导通电阻和高效率的特性。它适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备等。其小型化的封装形式DFN1010-6使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：2.9A
导通电阻：45mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：8nC
输入电容：175pF
总功耗：350mW
工作结温范围：-55°C至+150°C
SI1563EDH采用先进的制造工艺，实现了超低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
其小型化的DFN1010-6封装仅有1mm x 1mm大小，能够满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
此外，该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷，可显著降低开关损耗。
由于具备良好的热稳定性和可靠性，它能够在恶劣的工作条件下长期运行。
SI1563EDH广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域。典型应用包括：
便携式电子设备中的负载开关
DC-DC转换器的同步整流开关
锂电池保护电路中的功率开关
电机驱动和音频放大器中的信号切换
USB端口保护及过流保护等场景
SI1562DD, SI1564DD, BSS138
