时间：2025/7/5 5:00:02
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SI1442DH-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种功率转换和开关应用。其封装形式为 SC-70，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压(VDS)：30V
连续漏极电流(ID)：2.8A
导通电阻(RDS(on))：55mΩ
栅极电荷(Qg)：11nC
总电容(Ciss)：250pF
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SC-70
SI1442DH-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 可以显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 小型化的 SC-70 封装使其适合用于需要节省空间的应用场合。
3. 快速开关性能得益于较低的栅极电荷 (Qg)，可减少开关损耗。
4. 高可靠性设计确保在严苛的工作环境下仍能保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料使用。
6. 支持高频操作，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的电源管理，如智能手机和平板电脑。
2. 计算机外设及消费类电子产品中的负载开关。
3. DC-DC 转换器和降压-升压转换电路。
4. 电池供电系统的保护与控制。
5. 各种便携式电子设备中的高效开关应用。
6. 小功率电机驱动和逆变器控制。
7. 固态继电器和其他类似的电子开关功能实现。
SI1445DJ-T1-E3, SI1447DJ-T1-E3
