SI1417DH 时间：2025/5/19 11:46:59 阅读：20

SI1417DH是来自Vishay Siliconix的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型DFN2020-6L封装，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，非常适合用于便携式设备、负载开关、电池管理以及DC/DC转换等应用。
　　SI1417DH在设计上针对低电压应用进行了优化，能够在较低的栅极驱动电压下提供出色的性能表现。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：3.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：150mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷：1.8nC
　　输入电容：100pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

SI1417DH具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
　　2. 小型化封装（DFN2020-6L），有助于节省电路板空间。
　　3. 在低栅极驱动电压下表现出色，适合锂电池供电的便携式设备。
　　4. 超低栅极电荷，确保快速开关能力。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无卤素材料使用。
　　6. 提供可靠的ESD保护性能。

应用

SI1417DH适用于广泛的电子应用领域，包括但不限于：
　　1. 手机和其他便携式消费类电子产品中的负载开关。
　　2. 锂电池保护和充电管理电路。
　　3. DC/DC转换器中的同步整流开关。
　　4. 高效电机驱动控制。
　　5. 信号切换和电源路径管理。
　　6. 各种需要小型化和高效能的电路设计场景。