时间：2025/5/10 10:20:16
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SI1404DH-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高频和高效能的应用场景。其封装形式为 SOT-23，在紧凑设计中提供了卓越的性能表现。
该型号主要针对消费类电子、通信设备以及工业应用中的负载开关、同步整流器和 DC-DC 转换器等用途。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.4A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极电荷：4nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：SOT-23
SI1404DH-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频电路应用。
3. 紧凑的 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高，经过严格测试以保证长期使用。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. 各种便携式电子产品中的电源管理。
3. 工业自动化设备中的信号控制与驱动。
4. 开关电源及 DC-DC 转换器中的同步整流。
5. 数据通信设备中的高效能功率转换。
6. 电池供电产品中的保护电路。
SI1404DN, BSS138, AO3400
