时间：2025/5/9 17:52:02
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SI1317DL 是一款来自 Vishay Siliconix 的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的封装设计，适合于高效率和高密度的功率转换应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为消费电子、通信设备以及工业应用的理想选择。
这款 MOSFET 主要用于负载切换、同步整流、DC-DC 转换器以及电池管理等场景。SI1317DL 提供了出色的性能，在高频开关条件下能够保持高效运行。
型号：SI1317DL
封装：TSOP6
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：8.5mΩ
Id（连续漏极电流）：28A
Qg（栅极电荷）：9nC
EAS（雪崩能量）：440μJ
fSW（最大工作频率）：2MHz
Ptot（总功耗）：1.4W
SI1317DL 的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下产生的功率损耗非常小，从而提高了系统的整体效率。
此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），因此在高频开关应用中可以实现更快的开关速度并降低开关损耗。
由于采用了 TSOP6 封装，这种 MOSFET 在提供高性能的同时还具备较小的占位面积，非常适合空间受限的设计。
该产品符合 RoHS 标准，确保其环保性及长期可用性。
同时，其出色的热特性和电气稳定性也使它能够在严苛的工作环境中保持可靠运行。
SI1317DL 广泛应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于：
1. 移动设备中的 DC-DC 转换器
2. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理
3. 同步整流电路
4. 开关模式电源 (SMPS)
5. 多相降压控制器中的负载开关
6. 电池保护和充电管理电路
7. 电机驱动和 LED 驱动应用
SI1319DL, BSC018N06NS3, FDMC8810
