时间：2025/5/22 0:48:55
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SI1308EDL 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，广泛应用于各种功率转换和负载切换场景。
SI1308EDL 的封装形式为小型化 SOT-23 封装，适合在空间受限的设计中使用。其出色的性能和可靠性使其成为消费电子、工业控制以及通信设备等领域的理想选择。
型号：SI1308EDL
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：65mΩ
Id（连续漏极电流）：1.7A
Vgs(th)（阈值电压）：1V~2.5V
栅极电荷：3.5nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT-23
SI1308EDL 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度减少了开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高度集成的小型 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，简化了设计布局。
4. 广泛的工作温度范围确保了其在极端环境下的可靠运行。
5. 阈值电压较低，易于驱动，适合电池供电设备。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
SI1308EDL 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 便携式设备中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的开关元件。
5. 保护电路，如过流保护和短路保护。
6. 消费类电子产品，例如智能手机充电器、平板电脑适配器等。
SI2302DS, BSS138
