时间：2025/6/5 22:00:29
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SI1307EDL-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种功率转换、负载切换以及电机驱动等应用。此型号特别适合需要高效能和紧凑设计的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：9nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TSOP6
SI1307EDL-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 快速开关性能，能够支持高频操作，提升系统效率。
3. 小型 TSOP6 封装，节省 PCB 空间，适合便携式设备。
4. 高电流承载能力，适用于多种功率级别的应用。
5. 提供优异的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定的性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代化生产要求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路及负载切换。
4. 消费类电子产品的电源管理模块。
5. 小型电机驱动与控制。
6. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输。
SI1306EDL-T1-GE3, SI1308EDL-T1-GE3
