时间：2025/7/2 0:09:16
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SI1175I3-B2-GM 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高效率、高频开关应用。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关等应用场景。其封装形式为 SuperSOT-227B，具备出色的热性能和紧凑的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14.6A
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
栅极电荷：23nC
输入电容：1950pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI1175I3-B2-GM 的主要特点是低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷，能够实现快速开关，从而降低开关损耗。
其 TrenchFET 第三代技术确保了卓越的性能，同时 SuperSOT-227B 封装提供了良好的散热特性和空间节省优势。
由于其宽泛的工作温度范围，该器件非常适合工业和汽车环境中的严苛条件。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及各种需要高效功率开关的应用场景中。其高频性能也使其成为通信设备和消费类电子产品中的理想选择。
SI1175DP, SI1176DP, SI1181DP
