时间：2025/8/2 7:17:12
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SI1077X-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件主要面向高功率密度应用，例如电源管理、DC/DC 转换器、负载开关以及电机控制。SI1077X-T1-GE3 采用 TSSOP 封装（4.4mm x 2.6mm），适用于表面贴装技术，能够在 -55°C 至 150°C 的工作温度范围内稳定运行。作为 Vishay 的 GE3 系列产品之一，该器件符合 RoHS 和 REACH 标准，具有环保和可靠性高的特点。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7.8A @ 25°C
导通电阻(Rds(on))：16mΩ @ Vgs=10V, Id=3.9A
阈值电压(Vgs(th))：1.7V ~ 2.4V @ Id=250μA
功率耗散(Pd)：3.1W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP
引脚数：8
导通电荷(Qg)：14nC @ Vgs=10V
输入电容(Ciss)：620pF @ Vds=15V
反向恢复时间(trr)：26ns
SI1077X-T1-GE3 具备多项先进的电气和热性能特点，适合高效能功率管理应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著减少功率损耗，提高系统效率，适用于高电流负载环境。该 MOSFET 采用沟槽技术，优化了导通和开关性能，同时在高频开关应用中表现优异。TSSOP 封装设计不仅节省空间，而且有助于提高散热效率，确保器件在高功率应用中的稳定运行。
SI1077X-T1-GE3 的栅极驱动要求较低，能够在 4.5V 至 20V 的栅极电压范围内正常工作，适应多种控制电路需求。其快速开关特性（如低导通电荷 Qg 和低输入电容 Ciss）使得在开关电源、DC/DC 转换器等高频应用中能够实现更短的开关时间，减少开关损耗。
此外，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，在极端工作条件下仍能保持可靠运行。其封装材料符合 RoHS 和 REACH 标准，适合环保要求较高的电子设备使用。SI1077X-T1-GE3 还具备优异的抗静电能力和过温保护特性，提升了整体系统的安全性和寿命。
SI1077X-T1-GE3 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括同步整流器、负载开关、电源管理系统、DC/DC 转换器、电池供电设备、电机控制电路以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理模块。
在服务器电源、通信设备和工业控制系统中，SI1077X-T1-GE3 可作为高效率的功率开关元件，用于实现高效的能量转换和分配。其高频开关特性也使其适用于功率因数校正（PFC）电路和 PWM 控制系统。此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、LED 照明驱动和电动助力转向系统等应用，满足汽车环境对高可靠性和耐高温性能的要求。
Si1077X-T1-E3, Si1077ED-T1-GE3, Si1077AD-T1-GE3
