SI1077X-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽工艺技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件主要面向高功率密度应用,例如电源管理、DC/DC 转换器、负载开关以及电机控制。SI1077X-T1-GE3 采用 TSSOP 封装(4.4mm x 2.6mm),适用于表面贴装技术,能够在 -55°C 至 150°C 的工作温度范围内稳定运行。作为 Vishay 的 GE3 系列产品之一,该器件符合 RoHS 和 REACH 标准,具有环保和可靠性高的特点。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7.8A @ 25°C
导通电阻(Rds(on)):16mΩ @ Vgs=10V, Id=3.9A
阈值电压(Vgs(th)):1.7V ~ 2.4V @ Id=250μA
功率耗散(Pd):3.1W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TSSOP
引脚数:8
导通电荷(Qg):14nC @ Vgs=10V
输入电容(Ciss):620pF @ Vds=15V
反向恢复时间(trr):26ns
SI1077X-T1-GE3 具备多项先进的电气和热性能特点,适合高效能功率管理应用。其低导通电阻(Rds(on))可显著减少功率损耗,提高系统效率,适用于高电流负载环境。该 MOSFET 采用沟槽技术,优化了导通和开关性能,同时在高频开关应用中表现优异。TSSOP 封装设计不仅节省空间,而且有助于提高散热效率,确保器件在高功率应用中的稳定运行。
SI1077X-T1-GE3 的栅极驱动要求较低,能够在 4.5V 至 20V 的栅极电压范围内正常工作,适应多种控制电路需求。其快速开关特性(如低导通电荷 Qg 和低输入电容 Ciss)使得在开关电源、DC/DC 转换器等高频应用中能够实现更短的开关时间,减少开关损耗。
此外,该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力,在极端工作条件下仍能保持可靠运行。其封装材料符合 RoHS 和 REACH 标准,适合环保要求较高的电子设备使用。SI1077X-T1-GE3 还具备优异的抗静电能力和过温保护特性,提升了整体系统的安全性和寿命。
SI1077X-T1-GE3 广泛应用于多种功率电子系统中,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括同步整流器、负载开关、电源管理系统、DC/DC 转换器、电池供电设备、电机控制电路以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理模块。
在服务器电源、通信设备和工业控制系统中,SI1077X-T1-GE3 可作为高效率的功率开关元件,用于实现高效的能量转换和分配。其高频开关特性也使其适用于功率因数校正(PFC)电路和 PWM 控制系统。此外,在汽车电子系统中,该器件可用于车载充电器、LED 照明驱动和电动助力转向系统等应用,满足汽车环境对高可靠性和耐高温性能的要求。
Si1077X-T1-E3, Si1077ED-T1-GE3, Si1077AD-T1-GE3