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SI1077X-T1-GE3 发布时间 时间:2025/8/2 7:17:12 查看 阅读:36

SI1077X-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽工艺技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件主要面向高功率密度应用,例如电源管理、DC/DC 转换器、负载开关以及电机控制。SI1077X-T1-GE3 采用 TSSOP 封装(4.4mm x 2.6mm),适用于表面贴装技术,能够在 -55°C 至 150°C 的工作温度范围内稳定运行。作为 Vishay 的 GE3 系列产品之一,该器件符合 RoHS 和 REACH 标准,具有环保和可靠性高的特点。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):7.8A @ 25°C
  导通电阻(Rds(on)):16mΩ @ Vgs=10V, Id=3.9A
  阈值电压(Vgs(th)):1.7V ~ 2.4V @ Id=250μA
  功率耗散(Pd):3.1W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TSSOP
  引脚数:8
  导通电荷(Qg):14nC @ Vgs=10V
  输入电容(Ciss):620pF @ Vds=15V
  反向恢复时间(trr):26ns

特性

SI1077X-T1-GE3 具备多项先进的电气和热性能特点,适合高效能功率管理应用。其低导通电阻(Rds(on))可显著减少功率损耗,提高系统效率,适用于高电流负载环境。该 MOSFET 采用沟槽技术,优化了导通和开关性能,同时在高频开关应用中表现优异。TSSOP 封装设计不仅节省空间,而且有助于提高散热效率,确保器件在高功率应用中的稳定运行。
  SI1077X-T1-GE3 的栅极驱动要求较低,能够在 4.5V 至 20V 的栅极电压范围内正常工作,适应多种控制电路需求。其快速开关特性(如低导通电荷 Qg 和低输入电容 Ciss)使得在开关电源、DC/DC 转换器等高频应用中能够实现更短的开关时间,减少开关损耗。
  此外,该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力,在极端工作条件下仍能保持可靠运行。其封装材料符合 RoHS 和 REACH 标准,适合环保要求较高的电子设备使用。SI1077X-T1-GE3 还具备优异的抗静电能力和过温保护特性,提升了整体系统的安全性和寿命。

应用

SI1077X-T1-GE3 广泛应用于多种功率电子系统中,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括同步整流器、负载开关、电源管理系统、DC/DC 转换器、电池供电设备、电机控制电路以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理模块。
  在服务器电源、通信设备和工业控制系统中,SI1077X-T1-GE3 可作为高效率的功率开关元件,用于实现高效的能量转换和分配。其高频开关特性也使其适用于功率因数校正(PFC)电路和 PWM 控制系统。此外,在汽车电子系统中,该器件可用于车载充电器、LED 照明驱动和电动助力转向系统等应用,满足汽车环境对高可靠性和耐高温性能的要求。

替代型号

Si1077X-T1-E3, Si1077ED-T1-GE3, Si1077AD-T1-GE3

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SI1077X-T1-GE3参数

  • 现有数量21,329现货
  • 价格1 : ¥3.90000剪切带(CT)3,000 : ¥1.10186卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.75A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)78 毫欧 @ 1.8A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)31.1 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)965 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)330mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SC-89(SOT-563F)
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666