SI1065X-T1-GE3
时间:2023/6/7 10:56:28
阅读:264
概述
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:12V
闸/源击穿电压:+/-8V
漏极连续电流:1.18A
功率耗散:236mW
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SC-89-6
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
SI1065X-T1-GE3推荐供应商
更多>
- SI1065X-T1-GE3
- 深圳市吉铭贸易有限公司
- 50000
- Vishay Siliconix
- 2020+/MOSFET PCH 12V 1.18A SC896
-
- SI1065X-T1-GE3
- 中杰盛科技有限公司
- 36000
- Vishay
- 24+/SC896
-
SI1065X-T1-GE3参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 1.18A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)950mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs10.8nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds480pF @ 6V
- 功率 - 最大236mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装SC-89-6
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称SI1065X-T1-GE3TR