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SI1058X-T1-E3 时间：2023/6/7 10:58:22 阅读：224

制造商：Vishay

概述

制造商：Vishay

产品种类：MOSFET小信号

RoHS：是

配置：SingleQuadDrain

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：20V

闸/源击穿电压：+/-12V

漏极连续电流：1.3A

功率耗散：236mW

最大工作温度：+150℃

安装风格：SMD/SMT

封装/箱体：SC-89-6

封装：Reel

最小工作温度：-55℃

资料

厂商
VISHAY

SI1058X-T1-E3推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

SI1058X-T1-E3
深圳市金灿利电子科技有限公司
2086
VISHAY
2023+/SC896

SI1058X-T1-E3
深圳市三峰伟业电子有限公司
120000
VISHAY
22+/SC896

SI1058X-T1-E3
深圳市正川电子有限公司
23412
VISHAY/威世
23+/-

SI1058X-T1-E3
深圳市昴泽电子有限公司
9811
22+/

SI1058X-T1-E3
深圳市富源微电子有限公司
5000
VISHAY/威世
22+/-

SI1058X-T1-E3
深圳市中元伟业电子商行
60000
VISHAY/威世
23+/SC896

SI1058X-T1-E3
深圳市创芯联盈电子有限公司
8700
VISHAY/威世
2021+/-

SI1058X-T1-E3
深圳市集好芯城科技有限公司
18000
VISHAY/威世
22+/SC896

SI1058X-T1-E3
深圳市跃创芯科技有限公司
25000
VISHAY/威世
22+/SC896

SI1058X-T1-E3
深圳市誉辉天成电子有限公司
5000
VISHAY/威世
24+/-

SI1058X-T1-E3
深圳市创芯联盈电子有限公司
6000
VISHAY/威世
23+/SC896

SI1058X-T1-E3
深圳市创宝来科技有限公司
9860
VISHAY
1808+/N/A

SI1058X-T1-E3
深圳市润森阳电子有限公司
8160
VISHAY/威世
22+/-

SI1058X-T1-E3
中杰盛科技有限公司
36000
Vishay
24+/SOT563

SI1058X-T1-E3
深圳市腾桩电子有限公司
4800
VISHAY/威世
23+/SC896

SI1058X-T1-E3
深圳市新科金达电子科技有限公
5000
VISHAY/威世
23+/-

SI1058X-T1-E3
深圳市驰源科技有限公司
5000
VISHAY/威世
22+/A/N

SI1058X-T1-E3
深圳市灵希微科技有限公司
69800
VISHAY/威世
2022+/-

SI1058X-T1-E3
深圳市芯创恒微电子有限公司
3000
VISHAY
20+/SC896

SI1058X-T1-E3
深圳市励芯恒智能科技有限公司
14850
VISHAY/威世
2022+/SC896

SI1058X-T1-E3相关型号推荐

IC词条百科

SI1058X-T1-E3参数

数据列表SI1058X
标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C91 毫欧 @ 1.3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs5.9nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds380pF @ 10V
功率 - 最大236mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563，SOT-666
供应商设备封装SC-89-6
包装带卷 (TR)
其它名称SI1058X-T1-E3TR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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