SI1013X-T1-GE3
时间:2023/6/7 11:05:11
阅读:195
概述
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:20V
闸/源击穿电压:+/-6V
漏极连续电流:0.35A
功率耗散:250mW
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SC-89-3
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
资料
厂商 |
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VISHAY |
Vishay Semiconductors |
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- SI1013X-T1-GE3
- 深圳智睿捷科技有限公司
- 3000
- PLINGSEMIC/鹏领
- 24+/SOT23
-
SI1013X-T1-GE3参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C350mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds-
- 功率 - 最大250mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装SC-89-3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称SI1013X-T1-GE3TR