时间：2025/7/8 17:37:53
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SI1013CX-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型硅 MOSFET 芯片，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件适用于多种开关和功率管理应用，其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效能设计的理想选择。
这款芯片广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，特别适合需要高频开关和低功耗的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
栅极阈值电压：2.5V 至 4.5V
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
总功耗：24W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
封装数量：3000
SI1013CX-T1-GE3 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低功耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，能够承受过载条件下的瞬态电压冲击。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，非常适合高频应用。
4. 紧凑的 DPAK 封装，节省电路板空间。
5. 宽泛的工作温度范围，支持在极端环境下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品对绿色设计的要求。
这些特性使得该 MOSFET 成为高性能电源转换器、电机驱动器和其他功率电子应用中的关键组件。
SI1013CX-T1-GE3 的主要应用领域包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动电路中的电子开关。
3. 电池保护系统中的负载开关。
4. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
5. LED 驱动器和照明控制系统中的功率调节元件。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
凭借其卓越性能，该器件几乎可以用于任何需要高效功率开关的场合。
SI1012DS, SIH55N60E, IRFZ44N
