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SI1013-A-GMR 发布时间 时间:2025/6/3 20:15:06 查看 阅读:4

SI1013-A-GMR 是一款基于巨磁阻 (GMR) 技术的高灵敏度磁传感器芯片。它广泛应用于磁场检测领域,例如角度传感器、位置传感器和电流传感器等。该芯片具有高分辨率、低功耗和良好的温度稳定性,适用于工业自动化、汽车电子以及消费类电子产品。
  SI1013-A-GMR 的核心是 GMR 薄膜技术,能够将微弱的磁场变化转换为电信号输出,从而实现对目标物体位置或运动状态的精确测量。

参数

供电电压:2.7V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  灵敏度:高达 5mV/V/Oe
  响应时间:小于 1μs
  封装形式:SOT23-5
  静态工作电流:1mA(典型值)
  带宽:10kHz

特性

SI1013-A-GMR 具有以下显著特点:
  1. 高灵敏度:能够感知非常微弱的磁场信号,适合于低磁场强度环境下的应用。
  2. 低噪声:其内部电路设计优化了信噪比,保证了输出信号的纯净性。
  3. 温度补偿:内置温度补偿功能,确保在不同温度条件下性能稳定。
  4. 小尺寸封装:采用 SOT23-5 封装,节省 PCB 空间,便于小型化设计。
  5. 宽电源电压范围:支持 2.7V 至 5.5V 的供电电压,适应多种应用场景。
  6. 快速响应:具备小于 1μs 的响应时间,满足高速动态系统的需要。

应用

SI1013-A-GMR 可应用于多个领域:
  1. 角度传感:用于无刷直流电机 (BLDC) 控制系统中的转子位置检测。
  2. 电流传感:通过检测导线周围产生的磁场来间接测量电流大小。
  3. 位置传感:在工业自动化设备中用作非接触式位移传感器。
  4. 汽车电子:如刹车系统、油门踏板和方向盘角度检测等。
  5. 消费电子:手机、平板电脑和其他便携式设备中的方向感应模块。

替代型号

SI1013B-GMR, HMC1021, MLX90363

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SI1013-A-GMR参数

  • 制造商Silicon Laboratories
  • 核心8051
  • 处理器系列Si10xx
  • 数据总线宽度32 bit
  • 最大时钟频率25 MHz
  • 程序存储器大小8 KB
  • 数据 RAM 大小768 B
  • 片上 ADCNo
  • 工作电源电压1.8 V to 3.6 V
  • 工作温度范围- 40 C to + 85 C
  • 封装 / 箱体QFN-42
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装Reel
  • 接口类型PCA, SMBus, SPI, UART
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 可编程输入/输出端数量15
  • 定时器数量4
  • 程序存储器类型Flash
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min1.8 V