您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3 发布时间 时间:2023/6/7 11:05:19 查看 阅读:306

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:20V

闸/源击穿电压:+/-6V

漏极连续电流:0.5A

功率耗散:150mW

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SC-75A-3

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

SI1012R-T1-GE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI1012R-T1-GE3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SI1012R-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75A
  • 供应商设备封装SC-75A
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1012R-T1-GE3TR