您好，欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
网站首页 | 采购商服务 | 会员服务 | 工程师服务 | 网站导航

产品
发布采购信息 修改/删除采购【看报价】
您所在的位置：电子元器件采购网 > IC百科 > SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3 发布时间 时间：2023/6/7 11:05:19 查看 阅读：317

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：Vishay

产品种类：MOSFET小信号

RoHS：是

配置：Single

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：20V

闸/源击穿电压：+/-6V

漏极连续电流：0.5A

功率耗散：150mW

最大工作温度：+150℃

安装风格：SMD/SMT

封装/箱体：SC-75A-3

封装：Reel

最小工作温度：-55℃

资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

SI1012R-T1-GE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI1012R-T1-GE3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SI1012R-T1-GE3相关型号推荐

IC词条百科

SI1012R-T1-GE3产品

SI1012R-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 600mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75A
  • 供应商设备封装SC-75A
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1012R-T1-GE3TR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

©2024 维库电子市场网（www.dzsc.com）　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明

十六年专注打造优质电子元器件采购网、IC交易平台。

买家服务热线：0571-85317666 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
卖家服务热线：0571-85317586 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727