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SI1012R-T1-GE3 发布时间 时间：2023/6/7 11:05:19 查看 阅读：299

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：Vishay

产品种类：MOSFET小信号

RoHS：是

配置：Single

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：20V

闸/源击穿电压：+/-6V

漏极连续电流：0.5A

功率耗散：150mW

最大工作温度：+150℃

安装风格：SMD/SMT

封装/箱体：SC-75A-3

封装：Reel

最小工作温度：-55℃

资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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SI1012R-T1-GE3产品

SI1012R-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 600mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75A
  • 供应商设备封装SC-75A
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1012R-T1-GE3TR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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