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SI1002-E-GM2R 发布时间 时间:2025/5/29 11:30:01 查看 阅读:9

SI1002-E-GM2R是一款高性能的硅基功率MOSFET,适用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高效率下运行。其封装形式为TO-252,适合表面贴装技术(SMT),能够有效减少寄生电感并提升散热性能。
  该型号广泛用于DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动器以及其他需要高效能开关的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关频率:5MHz
  结温范围:-55℃ to 150℃

特性

SI1002-E-GM2R具备卓越的电气性能,包括但不限于低导通电阻以降低功耗,以及快速开关能力以支持高频应用。此外,该器件还具有出色的热稳定性和抗浪涌能力,能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。
  其紧凑型封装设计有助于简化电路板布局,并且与传统通孔元件相比,可显著节省空间。
  由于采用了优化的芯片结构和封装材料,SI1002-E-GM2R在高温下的表现依然优异,从而扩大了其适用范围。

应用

这款MOSFET非常适合用作同步整流器、降压或升压转换器中的开关元件,同时也可以作为负载开关或保护电路的一部分。在消费电子、通信设备及工业控制等领域中,SI1002-E-GM2R凭借其高效率和可靠性成为理想选择。
  典型应用场景包括但不限于USB充电器、适配器、笔记本电脑电源、智能家居产品等。

替代型号

SI1003-E-GM2R
  IRLML6402
  FDS6680

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SI1002-E-GM2R产品

SI1002-E-GM2R参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥69.52190卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 类型TxRx + MCU
  • 射频系列/标准通用 ISM < 1GHz
  • 协议EZRadioPro
  • 调制FSK,GFSK,OOK
  • 频率240MHz ~ 960MHz
  • 数据速率(最大值)256kbps
  • 功率 - 输出13dBm
  • 灵敏度-121dBm
  • 存储容量64kB 闪存,4.35kB RAM
  • 串行接口I2C,SPI,UART
  • GPIO22
  • 电压 - 供电1.8V ~ 3.6V
  • 电流 - 接收18.5mA
  • 电流 - 传输17mA ~ 30mA
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳42-VFLGA 裸露焊盘
  • 供应商器件封装42-LGA(5x7)