时间：2025/5/29 11:30:01
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SI1002-E-GM2R是一款高性能的硅基功率MOSFET，适用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高效率下运行。其封装形式为TO-252，适合表面贴装技术(SMT)，能够有效减少寄生电感并提升散热性能。
该型号广泛用于DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动器以及其他需要高效能开关的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：7nC
开关频率：5MHz
结温范围：-55℃ to 150℃
SI1002-E-GM2R具备卓越的电气性能，包括但不限于低导通电阻以降低功耗，以及快速开关能力以支持高频应用。此外，该器件还具有出色的热稳定性和抗浪涌能力，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。
其紧凑型封装设计有助于简化电路板布局，并且与传统通孔元件相比，可显著节省空间。
由于采用了优化的芯片结构和封装材料，SI1002-E-GM2R在高温下的表现依然优异，从而扩大了其适用范围。
这款MOSFET非常适合用作同步整流器、降压或升压转换器中的开关元件，同时也可以作为负载开关或保护电路的一部分。在消费电子、通信设备及工业控制等领域中，SI1002-E-GM2R凭借其高效率和可靠性成为理想选择。
典型应用场景包括但不限于USB充电器、适配器、笔记本电脑电源、智能家居产品等。
SI1003-E-GM2R
IRLML6402
FDS6680
