类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：700V
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、TO-3P等

SHL7075具有以下显著特性：
　　1. 高耐压设计：700V的漏源击穿电压使其适用于高电压输入环境，如AC/DC转换器中的PFC（功率因数校正）电路。
　　2. 低导通电阻：RDS(on)约为0.45Ω，降低了导通损耗，提高了整体能效。
　　3. 高电流承载能力：15A的连续漏极电流能力，适合中高功率应用。
　　4. 快速开关特性：具有较低的输入电容和输出电容，有利于实现高频开关操作，从而减小电源系统的体积。
　　5. 优秀的热稳定性：采用高导热封装材料，确保在高负载下仍能保持良好的散热性能。
　　6. 良好的短路和过载耐受能力：增强了在极端工作条件下的可靠性。
　　7. 栅极保护设计：±20V的栅源电压耐受范围，有助于防止因驱动信号异常导致的器件损坏。

SHL7075广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于PFC电路或主开关拓扑中，提高转换效率并减小电源体积。
　　2. DC-DC转换器：适用于隔离式或非隔离式拓扑结构，如半桥、全桥和推挽式电路。
　　3. 逆变器系统：包括太阳能逆变器和UPS不间断电源中的功率开关模块。
　　4. 电机驱动与控制：用于中功率电机控制器中，提供高效的开关控制能力。
　　5. 工业自动化设备：如变频器、伺服驱动器和高频感应加热装置等。
　　6. 电池管理系统：用于高电压电池组的充放电控制开关。

FQP15N70C, STF15N70, IRFGB40N70, HUF76427P3