您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SH8M4TB1

SH8M4TB1 发布时间 时间:2025/11/8 2:05:36 查看 阅读:9

SH8M4TB1并非一个被广泛认知或标准化的电子元器件芯片型号。经过对主流半导体制造商(如TI、ADI、NXP、Infineon、ST等)的产品数据库以及公开的技术资料进行检索,未能找到与该型号完全匹配的芯片产品。这可能意味着该型号属于某个特定厂商的专有命名体系,或者是某个定制化、非标产品的一部分,亦或是型号输入存在拼写错误。在电子元器件领域,型号通常由制造商前缀、功能代码、电压等级、封装类型和温度范围等多个部分组成,而SH8M4TB1的结构不符合常见的命名规则。例如,以‘SH’开头的芯片多见于某些电源管理或驱动类器件,但后续的‘8M4TB1’并不对应已知的功能序列。因此,在缺乏更多上下文信息(如器件外观、引脚数、应用场景或电路板上的位置标识)的情况下,无法准确判定其具体功能和规格。建议用户核对型号的正确性,确认是否有字母大小写混淆(如数字0与字母O,数字1与字母I或L),或者提供更多关于该器件所在设备的信息以便进一步分析。

参数

未找到有效参数

特性

未找到有效特性

应用

未找到有效应用

SH8M4TB1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SH8M4TB1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SH8M4TB1参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A,7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SH8M4TB1TRSP8M4TBSP8M4TBTRSP8M4TBTR-ND