类型：半桥栅极驱动器
　　供电电压（VDD）：10V ~ 20V
　　高边驱动电压（VB-VS）：最大25V
　　低边驱动电压（VSS）：0V
　　输出电流（峰值源/汲）：250mA / 500mA
　　输入逻辑电平：TTL/CMOS兼容
　　传播延迟时间：典型值200ns
　　死区时间：内置防直通逻辑
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：DIP-8, SOP-8

SH8K15具备优异的高边电平位移技术，使其能够在浮动高边驱动应用中可靠工作。该芯片内部集成了一个自举二极管和电平位移电路，允许高边输出跟随高端浮地（HS）节点变化，从而实现对N沟道MOSFET的有效驱动。这一特性显著降低了外部元件需求，简化了电源设计，提高了系统集成度。
　　该芯片的输入端支持标准TTL/CMOS逻辑电平，可以直接与微控制器、PWM控制器或其他数字控制单元对接，无需额外的电平转换电路。其输入信号经过内部施密特触发器整形，增强了抗噪声能力，确保在电磁干扰较强的工业环境中仍能稳定运行。此外，SH8K15内置了互锁逻辑和死区时间控制机制，防止上下桥臂同时导通导致的“直通”现象，极大提升了功率级的安全性与可靠性。
　　在保护方面，SH8K15具备过温关断功能，在芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出，避免因热失控造成永久损坏。同时，其输出级采用图腾柱结构，提供快速的上升和下降时间，减少开关损耗，提高系统效率。驱动能力强，可快速充放电MOSFET栅极，适用于高频开关场合。整个芯片设计充分考虑了EMI抑制，通过优化开关边沿控制和内部布局，降低电磁辐射。
　　SH8K15还具有低静态功耗特性，适合对能效要求较高的应用场景。其高抗dv/dt能力保证在高电压快速切换环境下不会发生误触发，进一步增强系统稳定性。总体而言，SH8K15是一款高性能、高集成度的栅极驱动解决方案，适用于多种中功率电力电子变换器设计。

SH8K15广泛应用于各类需要半桥驱动架构的电力电子设备中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、服务器电源和通信电源模块，其中用于驱动PFC电路或LLC谐振变换器中的功率开关。在DC-DC变换器中，特别是隔离型推挽或半桥拓扑结构中，SH8K15可有效控制功率MOSFET的开关时序，提升转换效率。此外，该芯片也常用于电机驱动控制系统，例如小型变频器、无刷直流电机（BLDC）驱动器中，作为功率桥臂的驱动核心，实现精确的相位控制。
　　在节能照明领域，SH8K15可用于高频电子镇流器或LED恒流驱动电源中，配合控制器实现高效的能量转换。其高耐压能力和可靠的隔离驱动特性，使其适用于市电直接整流后的高压母线环境。工业自动化设备中的逆变电源、UPS不间断电源以及太阳能微逆变器等新兴应用也逐步采用此类驱动芯片以提升系统集成度与可靠性。
　　由于其DIP8和SOP8的小型封装形式，SH8K15特别适合空间受限的应用场景，同时便于手工焊接与自动化生产。工程师在设计时只需搭配适当的自举电容和外部MOSFET即可构建完整的半桥驱动电路，大幅缩短开发周期并降低BOM成本。因此，SH8K15在消费类、工业类及部分汽车辅助电源系统中均有广泛应用前景。

IR2110, IR2113, UCC27531, HIP4081A