时间：2025/7/12 8:46:15
阅读：14
SH31N471J631CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低能耗并提升系统效率。
该MOSFET为N沟道增强型，适用于各种需要高效能和可靠性的应用场景。其卓越的电气特性和稳定性使其成为众多设计工程师的首选。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：31A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=18ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃至150℃
SH31N471J631CT的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。同时，其快速的开关速度使得它非常适合高频应用环境。此外，器件具备良好的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的工作条件下保持正常运行。
该芯片还具有较低的输入电容，从而降低了驱动损耗，并且支持高电流输出能力，可以满足多种大功率应用需求。
另外，其封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
SH31N471J631CT适用于直流-直流转换器、开关模式电源(SMPS)、电机控制器以及电池保护电路等场景。由于其出色的性能，也常用于汽车电子领域中的负载切换和保护功能。此外，在工业自动化设备中的步进电机驱动和伺服控制也有广泛应用。
其他典型应用还包括LED驱动器、不间断电源(UPS)系统以及太阳能逆变器等领域。
IRFZ44N
FDP5570
STP30NF06L
