时间：2025/7/5 5:04:59
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SH31N101J631CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减少发热。其封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺。
SH31N101J631CT 的设计目标是提供高可靠性与高效能，在高温工作环境下仍能保持稳定性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：3nC
反向恢复时间：无
功耗：2.2W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
SH31N101J631CT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提升整体效率。
2. 快速开关速度，可支持高频应用场合，从而减小磁性元件尺寸。
3. 高雪崩能力，确保在异常条件下也能安全运行。
4. 优异的热稳定性，适用于极端环境下的长期使用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产流程。
SH31N101J631CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源适配器中的同步整流电路。
2. 便携式设备及消费类电子产品的负载开关。
3. 小功率电机驱动控制。
4. 各种降压或升压型 DC-DC 转换器。
5. LED 照明驱动电路。
6. 电池保护及充放电管理电路。
7. 工业控制系统的信号隔离与功率传输环节。
IRF7409,
FDP018N06L,
AON7719,
AO3400
