时间：2025/7/12 5:53:55
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SH31N101J501CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，主要用于功率转换和开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于各种工业和消费电子领域。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），能够提供出色的散热性能和电气性能。
型号：SH31N101J501CT
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：58A
Ptot（总功耗）：175W
Vgs（栅源电压）：±20V
f（工作频率）：支持高达 1MHz 的开关频率
封装：TO-263（D2PAK）
SH31N101J501CT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低功率损耗，提高整体效率。
2. 高 Id（连续漏极电流）能力，使其适用于大电流应用场景。
3. 快速的开关速度，适合高频开关电源、DC-DC 转换器和其他高频电路。
4. 提供强大的过流保护功能，确保在异常情况下设备的安全运行。
5. TO-263 封装提供了良好的热性能和电气连接性能。
6. 工作温度范围宽广（-55°C 至 +150°C），适应各种环境条件下的使用需求。
SH31N101J501CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）。
6. 太阳能逆变器中的功率开关元件。
7. 各种需要高效功率转换和开关的应用场景。
IRFZ44N, FDP5500, BUK7Y0R9-60E
