时间：2025/7/10 11:44:28
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SH31B683K101CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低能耗并提升系统效率。
型号：SH31B683K101CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
总功耗(Ptot)：290W
工作温度范围(Top)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
SH31B683K101CT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 3.5mΩ，可显著减少导通损耗。
2. 快速开关性能，能够支持高频应用场合。
3. 高耐压能力，最大漏源电压为 60V，适用于多种中低压应用场景。
4. 大电流承载能力，最大漏极电流可达 40A，满足高功率需求。
5. 支持宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下的稳定性。
6. 采用 TO-247 封装，散热性能优越，便于安装和集成到各种电路设计中。
这些特点使得 SH31B683K101CT 成为高效率、高可靠性电力电子系统的理想选择。
SH31B683K101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于提高转换效率和降低发热。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件，提供高效的电压调节功能。
3. 电机驱动电路，支持大电流输出以驱动各类电机。
4. 工业控制设备中的功率管理模块，确保稳定可靠的电力传输。
5. 新能源相关应用，例如太阳能逆变器和电动车充电系统。
其出色的电气性能和可靠性使其成为众多工业和消费类电子产品中的核心元器件。
IRF640N
STP55NF06
FDP5500
IXYS5N60P
