时间：2025/7/3 19:04:28
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SH31B473K250CT是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他高效率功率管理应用。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在高频条件下运行以提升系统效率。
SH31B473K250CT采用了TO-220封装形式，这种封装方式能够提供良好的散热性能，并且便于集成到各种电路设计中。其出色的电气特性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：25A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：85nC
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
SH31B473K250CT的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：支持高达650V的漏源电压，确保能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为0.15Ω，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷和反向恢复电荷，从而减少开关损耗。
4. 强大的电流处理能力：支持最高25A的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
5. 广泛的工作温度范围：从-55℃到+150℃，适应多种极端环境条件。
6. 可靠性高：通过了多项质量测试，确保长时间使用中的稳定性。
SH31B473K250CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC和DC-DC转换器中，提供高效的功率控制。
2. 电机驱动：适用于各种直流无刷电机和步进电机驱动电路。
3. 逆变器：为太阳能逆变器和其他电力转换设备提供关键的功率开关功能。
4. 工业自动化：如PLC控制器、伺服驱动器等需要高效功率管理的应用。
5. 汽车电子：包括车载充电器、LED照明以及电动助力转向系统等。
IRFZ44N, STP30NF10L, FQP50N06L
