时间：2025/7/1 4:13:31
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SH31B471K631CT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低功耗。此外，它还具备出色的热性能和可靠性，适用于对功率密度和效率要求较高的应用场景。
型号：SH31B471K631CT
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.12Ω
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
SH31B471K631CT的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用场合，减少开关损耗。
3. 内置反向恢复二极管，进一步优化了开关性能。
4. 良好的热稳定性和鲁棒性设计，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 支持表面贴装技术(SMT)，简化生产流程并提高组装效率。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各类DC-DC转换器的设计与实现。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 光伏逆变器和其他新能源相关设备。
6. 电动车及混合动力车中的电池管理系统(BMS)和驱动控制系统。
STP18N65M3, IRFP260N, FQA18N65S7
