SH31B471K202CT 是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率管理场景。该器件采用TO-263封装,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高效率并减少能量损耗。
其设计特别适合在高频工作条件下使用,可有效降低开关损耗和传导损耗,同时具备出色的热性能以确保长期可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:52A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:95nC
总电容:1480pF
工作结温范围:-55℃至175℃
SH31B471K202CT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
3. 高电流承载能力,能够支持大功率负载需求。
4. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内保持稳定的性能。
5. 可靠性高,适合长时间连续运行的应用环境。
6. 封装形式为TO-263,便于安装与散热设计。
SH31B471K202CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. 各类 DC-DC 转换器,如降压、升压电路。
3. 电机驱动控制,例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
IRFZ44N, FDP5500, AON6708