时间：2025/6/21 17:30:15
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SH31B471K160CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而能够显著降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：16A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：25nC
开关时间：ton=35ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
SH31B471K160CT 具备以下突出特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗。
2. 快速的开关速度，可以有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能。
5. 小尺寸封装，便于设计集成和布局。
6. 宽泛的工作温度范围，确保其在恶劣环境中的稳定性。
这款功率 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电机驱动电路，尤其是直流无刷电机控制。
3. 太阳能逆变器中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. LED 驱动器中的高效功率转换。
6. 汽车电子系统中的各类负载控制。
IRF840,
STP16NS65,
FDP16N65,
IXTK16N65L,
AO4416
