时间：2025/6/26 0:20:24
阅读：6
SH31B223K160CT是一款高速、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有卓越的性能和稳定性，适合用于工业控制、通信设备以及消费类电子产品中的缓存和临时数据存储。
该芯片提供16Mbit的存储容量，组织方式为2048K x 8位，具备低功耗待机模式和快速读写能力。
存储容量：16Mbit
存储组织：2048K x 8
工作电压Vcc：1.7V至1.9V
待机电流：最大5μA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TQFP-44
数据访问时间：最高10ns
接口类型：并行
SH31B223K160CT支持高速数据传输，并具备出色的低功耗特性。
其主要特点包括：
1. 高速数据访问，支持高达10ns的访问时间，满足高性能系统的需求。
4. 工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在极端环境下稳定运行。
5. 并行接口设计，易于与微控制器和其他数字逻辑电路集成。
6. 高可靠性，具备内置的数据保护机制，防止数据丢失或损坏。
SH31B223K160CT广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化设备中的数据缓冲和临时存储。
2. 网络通信设备，例如路由器、交换机中的高速缓存。
3. 医疗设备中的实时数据记录和处理。
4. 消费类电子产品，如数码相机和游戏机中的临时数据存储。
5. 嵌入式系统中作为主处理器的外部扩展存储器。
由于其低功耗和高可靠性，该芯片非常适合需要长时间运行且对性能要求较高的场景。
SH31B223K160FT, SH31B223K160GT
