时间：2025/6/29 9:22:30
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SH31B222K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件主要应用于高效率、高频开关电路中，广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景。其采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和热性能方面具有显著优势。
型号：SH31B222K250CT
类型：N沟道功率MOSFET
封装形式：TO-220
VDS（漏源极电压）：250V
RDS(on)（导通电阻）：1.2Ω
ID（持续漏极电流）：16A
fBSOD（体二极管正向电压）：1.1V
Qg（栅极电荷量）：45nC
EAS（雪崩能量）：8J
Tj（结温范围）：-55℃至+175℃
SH31B222K250CT 具备低导通电阻和高耐压能力，能够在高频条件下提供高效的开关性能。
其内置的快速恢复体二极管能够有效减少反向恢复损耗，从而提升整体电路效率。
同时，该器件具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，适用于严苛的工作环境。
此外，其优化的栅极电荷设计降低了开关损耗，非常适合于高频率应用场合。
该芯片还支持宽温度范围操作，使其在工业和汽车领域具有广泛的适用性。
SH31B222K250CT 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 电机驱动电路中的逆变器模块。
3. DC/DC 转换器中的同步整流电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
6. 汽车电子系统中的电磁阀驱动和灯光控制。
由于其出色的性能表现，这款 MOSFET 在高压和高频应用中尤为受欢迎。
IRFZ44N, FQP17N25, STP16NF25
