时间：2025/6/30 22:48:30
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SH31B222K101CT 是一款基于硅基技术的高性能功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而能够显著提高系统的效率并降低能耗。
该芯片在设计上注重高温稳定性和可靠性，适用于工业级和消费级应用领域。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.12Ω
总功耗(Ptot)：270W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
SH31B222K101CT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达 650V 的漏源电压，使其适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 0.12Ω，在高电流负载下可以显著减少功率损耗。
3. 快速开关性能，优化了栅极电荷参数以实现更高效的开关操作。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 内置 ESD 保护功能，增强芯片对静电放电的耐受能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合长期使用。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，用于提供高效的电压转换。
2. 工业电机驱动，控制大功率电机的启动与停止。
3. 光伏逆变器，将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。
4. 电动车充电设备，提供稳定的直流输出以快速充电。
5. UPS 不间断电源系统，保障关键设备的电力供应。
STP18NF65,
IRFP260N,
FDP18N65C3
