时间：2025/7/10 3:16:49
阅读：9
SH31B221K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
类型：MOSFET
极性：N-channel
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：250A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总功耗(Ptot)：450W
结温范围(Tj)：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247
SH31B221K250CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.5mΩ，显著降低了导通损耗。
2. 高额定电流能力，可支持高达250A的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗并提升整体效率。
4. 具备优异的热性能，允许较高的结温范围（最高可达175℃），确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 采用坚固耐用的 TO-247 封装，便于散热和安装。
7. 可靠的电气隔离设计，提高了抗干扰能力。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 新能源汽车及电动工具的逆变器模块。
4. 大功率 LED 照明驱动器。
5. 不间断电源 (UPS) 系统。
6. 各类工业自动化设备中的功率管理单元。
IRFP2907, FGA25N60SMD
