时间：2025/6/22 7:01:20
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SH31B153K500CT是一款基于硅基技术的高压功率MOSFET，适用于高效率开关电源、电机驱动以及工业应用等领域。该器件采用了先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，还具有优异的开关性能和热稳定性。
这款MOSFET具有N沟道增强型结构，支持高频开关操作，并且能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.15Ω
栅极电荷：45nC
总电容：280pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-247
SH31B153K500CT的核心优势在于其出色的电气性能和可靠性。以下是一些主要特点：
- 高耐压能力（500V），适合高电压应用场景。
- 低导通电阻设计（典型值为0.15Ω），有助于降低功耗并提升系统效率。
- 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷（45nC），能够减少开关损耗。
- 良好的热稳定性和耐用性，可承受恶劣环境下的长时间运行。
- 宽广的工作温度范围（-55℃到+150℃），适应多种工业级应用需求。
- TO-247封装提供卓越的散热能力和机械强度，便于安装和维护。
该芯片广泛应用于需要高效能量转换和控制的领域，例如：
- 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
- 不间断电源（UPS）和逆变器的设计。
- 工业电机驱动与控制系统。
- 太阳能微逆变器和其他新能源相关设备。
- 各类家电产品中的电源管理和负载切换功能。
STP15NK50Z,
IRF540N,
FQP16N50,
IXTH15N50L2
