时间：2025/6/26 20:11:42
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SH31B101K102CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低功耗。
其封装形式为TO-252（DPAK），具备较高的电流承载能力和散热性能，适合高功率密度的设计需求。
型号：SH31B101K102CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：47A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：120W
结温范围Tj：-55℃ to +175℃
封装：TO-252（DPAK）
SH31B101K102CT 具有卓越的电气性能和可靠性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，有助于降低开关损耗，尤其在高频应用中表现优异。
3. 高雪崩能量能力，确保器件在异常工作条件下仍能保持稳定。
4. 内置反向恢复二极管，可有效减少反向电流冲击。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 优化的热阻抗设计，支持更高的功率密度和更长的使用寿命。
SH31B101K102CT 可广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器，包括降压、升压及升降压拓扑结构。
3. 电机驱动电路，适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电动机控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 电动车充电站及车载充电器的核心功率组件。
IRFZ44N
STP45NF06L
FDP5500
IXYS IXFH40N06T2
