SH3011 时间：2025/8/24 15:54:57 阅读：4

SH3011是一款广泛应用于电源管理领域的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和高可靠性的特点。SH3011通常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统以及各类高效能电源转换电路中。其封装形式多为TO-252（DPAK）或SOP-8等，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V Vgs时为5.5mΩ，@2.5V Vgs时为7.5mΩ
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）/SOP-8
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：8nC
　　输入电容（Ciss）：520pF

特性

SH3011具有多项优异的电气和物理特性，首先是其极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压下Rds(on)仅为5.5mΩ，使得在高电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的能效。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了电流分布和热管理性能，确保在高功率密度应用中仍能稳定运行。
　　SH3011的栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V之间的驱动，适用于多种控制器和驱动器的设计，增强了设计的灵活性。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下持续工作，并具备一定的短路耐受能力。
　　此外，SH3011的封装设计考虑了散热需求，TO-252（DPAK）封装具有良好的热传导性能，适合高功率密度的PCB布局设计。
　　其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源、同步整流电路等对效率要求较高的场合。

应用

SH3011广泛应用于各种电源管理系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池充电与管理系统、电源管理模块、电机驱动电路以及各类高效能电源设备。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。此外，该器件也可用于LED驱动、电源分配系统、服务器和通信设备的电源模块等场景。