时间：2025/8/5 1:58:44
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SH3003IMLTRT是一款由Sanken（三健）公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器等场景。SH3003IMLTRT采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装工艺，具备良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：30A
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
SH3003IMLTRT的主要特性包括其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高效率。该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的开关性能和热稳定性，能够在高频率下工作而不会显著发热。此外，SH3003IMLTRT具有较高的电流承载能力，能够承受短时间的过载情况，增强了系统的可靠性。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和短路保护功能，适用于苛刻的工业环境。由于其TO-252封装设计，SH3003IMLTRT在PCB布局中占用空间小，适合用于紧凑型电源设计。
另一个显著特点是其栅极驱动要求较低，通常可在4.5V至20V之间工作，这使得它兼容多种驱动电路，包括由微控制器直接驱动的情况。此外，该器件的快速开关能力减少了开关损耗，使其在高效率DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路中表现出色。SH3003IMLTRT的这些特性使其成为高性能电源管理和功率电子设备的理想选择。
SH3003IMLTRT广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和优异的电气性能，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器和电机驱动器。此外，SH3003IMLTRT还可用于高频逆变器、功率因数校正（PFC）电路和储能系统中的功率开关。
Si4410DY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDP3030BL, NTD3055L17T4G
