时间：2025/8/4 16:44:28
阅读：20
SH3003IMLTR是一款由Sanken（三研）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等电力电子领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合在高效率和高功率密度的应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ（典型值）
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55℃至150℃
功耗（Pd）：100W
SH3003IMLTR具备多项优异特性，确保其在各类高功率应用中的可靠性和性能。首先，其导通电阻（Rds(on)）仅为3.0mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET的额定漏极电流高达100A，能够支持大电流负载，适用于高功率密度的电源设计。此外，该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
SH3003IMLTR还具备优异的雪崩能量耐受能力，确保在过载或短路情况下仍能保持稳定运行。栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了其在不同应用场景中的适应性。同时，其快速开关特性可减少开关损耗，提高整体系统效率。该器件的工作温度范围为-55℃至150℃，适合在宽温度范围内使用，满足工业级和汽车电子应用的需求。
SH3003IMLTR适用于多种高功率和高效率的电力电子应用。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及各种工业控制设备。由于其优异的导通特性和高电流能力，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
Si7461DP-T1-GE3, IRF1010EZ, STP100N3LLH5
