时间：2025/6/22 6:57:36
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SH21B683K160CT 是一款由三星（Samsung）生产的高性能 DDR3L 内存颗粒芯片。DDR3L（Low Voltage）代表其工作电压为 1.35V，相比传统的 DDR3 更加节能。该芯片主要应用于笔记本电脑、平板设备以及其他对低功耗有要求的电子设备中。SH21B683K160CT 的设计注重高带宽和低延迟性能，能够满足现代计算设备对内存速度的需求。
此芯片采用先进的制造工艺，确保了在高频运行时仍能保持稳定性。此外，它支持 ECC（Error Correction Code）功能以提升数据可靠性，适用于需要高度准确性的场景。
类型：DDR3L
容量：4Gb (512MBx8)
电压：1.35V
I/O 宽度：x8/x16
速度：1600Mbps
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 到 +85°C
引脚数：78
SH21B683K160CT 是一种高速、低功耗的 DRAM 芯片，具有以下显著特点：
1. 采用 DDR3L 技术，降低了能耗，同时保证了与 DDR3 的向后兼容性。
2. 支持高达 1600Mbps 的数据传输速率，适合需要快速处理大量数据的应用环境。
3. 具备 x8 和 x16 的 I/O 接口选择，可以灵活适应不同系统架构需求。
4. 使用 BGA 封装技术，提供更好的电气性能和散热效果。
5. 稳定的工作温度范围，使其能够在多种恶劣环境下可靠运行。
6. 高密度存储容量，单颗芯片即可提供大容量内存支持，减少了 PCB 上的空间占用。
SH21B683K160CT 广泛应用于以下领域：
1. 笔记本电脑和超极本，因其低功耗特性非常适合移动设备。
2. 工业级计算机和嵌入式系统，尤其是在需要长时间稳定运行的环境中。
3. 平板电脑和其他便携式消费电子产品，满足用户对高性能和长续航时间的要求。
4. 网络通信设备，例如路由器和交换机，用作缓存或临时数据存储。
5. 医疗设备和汽车电子系统，其中对可靠性和低延迟要求较高。
K4B2G164QB, H9CCNNNCLMMA0E, MT41K256M16HA-125 IT
