时间：2025/6/26 0:19:49
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SH21B682K500CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于要求高效能和高可靠性的应用场合。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：20A
导通电阻：2.3mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：2240pF
总功耗：16W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
SH21B682K500CT 的主要特性包括超低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，可以减少开关损耗。其优化的封装设计还提供了出色的散热性能，确保在高电流应用中的稳定性。
该MOSFET还具有较高的雪崩击穿能力和抗静电能力，从而增强了器件的鲁棒性。同时，它支持表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产和组装，进一步降低了制造成本。
这款MOSFET适用于多种领域，如消费电子、工业控制和汽车电子等。典型的应用场景包括：
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动电路
- 负载开关
- 电池管理系统(BMS)
- 电信设备中的电源管理模块
由于其高效的特性和坚固的设计，SH21B682K500CT 在需要处理大电流和快速切换的应用中表现尤为突出。
IRF3710
STP20NF50
FDP20N50
