SH21B682K100CT 是一款高性能的双通道 MOSFET 驱动芯片,主要用于功率电子应用中,如电机驱动、开关电源和逆变器等。该芯片具有高输出电流能力以及快速的响应速度,能够有效驱动大功率 MOSFET 和 IGBT 器件。
SH21B682K100CT 内部集成了电平移位电路,允许低压控制信号直接驱动高压侧 MOSFET,同时具备短路保护和过温关断功能以确保系统安全。
供电电压范围:5V 至 24V
输出峰值电流:±3A
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
通道数量:2
延迟时间(典型值):50ns
封装形式:SOIC-8
SH21B682K100CT 具有以下显著特性:
1. 高效的双通道设计,支持高低侧独立驱动。
2. 内置自举二极管,简化了外围电路设计。
3. 快速的开关速度,可减少开关损耗并提升效率。
4. 宽输入电压范围,适应多种应用场景。
5. 提供完善的保护机制,包括欠压锁定(UVLO)、短路保护和热关断功能。
6. 超低传播延迟,适用于高频开关场合。
7. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
SH21B682K100CT 广泛应用于各类功率转换与驱动场景,包括但不限于以下领域电源(SMPS)中的主控驱动。
2. 无刷直流电机(BLDC)的栅极驱动模块。
3. 电动车窗、座椅调节等汽车电子系统中的驱动电路。
4. 工业设备中的步进电机或伺服电机驱动。
5. LED 驱动器和 PFC(功率因数校正)电路中的关键组件。
IR2110S, TC4420CPA