时间：2025/7/9 23:09:39
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SH21B681K101CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，适合用于直流到直流转换器（DC-DC）、负载开关、电池保护电路以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：65nC
开关时间：ton=9ns, toff=12ns
结温范围：-55℃至+175℃
SH21B681K101CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 1.4mΩ，从而显著降低了传导损耗。
2. 快速的开关性能，使得其适用于高频开关应用，同时减少开关损耗。
3. 高额定电流能力，支持高达 35A 的连续漏极电流，满足大功率需求。
4. 耐雪崩能力和抗 ESD 性能优越，增强了器件的可靠性和耐用性。
5. 小巧的封装设计有助于节省 PCB 空间，适合紧凑型设计要求。
6. 工作温度范围广，能够在极端环境条件下稳定运行。
该 MOSFET 器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器及 UPS 系统。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 各种 DC-DC 转换器和升降压电路。
由于其卓越的电气性能和可靠性，SH21B681K101CT 成为众多功率转换和管理应用的理想选择。
IRFZ44N, FDP5800, STP36NF06
