时间：2025/7/5 5:00:25
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SH21B473K1FET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电力电子应用。该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。其设计特点包括低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度，有助于提高系统的效率和可靠性。
该型号的封装形式为 TO-220，具备出色的散热性能，适合高功率密度的应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：95nC
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SH21B473K100CT 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，减少了开关损耗，提高了高频应用中的效率。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 强大的热性能，能够有效管理高温运行环境下的热量积累。
6. 具备较高的雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性。
7. 封装采用标准 TO-220，便于安装和集成到现有电路中。
SH21B473K100CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 工业设备中的负载切换。
5. 电动车及混合动力车的电池管理系统。
6. 可再生能源系统中的功率转换模块。
7. 通信电源和 UPS 系统中的功率开关组件。
IRFP2907, FDP067N06L, STP47NF06
